中国今后10年将投资1500亿美元

首先从中国的动作开始谈起。中国政府在2014年6月出台的《国家集成电路产业发展推进纲要》中提出了具体目标，到2015年电路线宽28纳米制造工艺实现规模量产，到2020年14纳米制造工艺实现规模量产，而到2030年，集成电路产业链主要环节达到国际先进水平。这成为号角，中央政府和地方政府的投资基金相继设立，其规模据下文提及的美国总统科技顾问委员会（PCAST）的统计“在今后10年里将达到1500亿美元”。

中国已提出到2030年之前在半导体领域具备世界最高水平的能力这一目标

中国对于在半导体领域追赶先进国家为何抱有如此高的热情呢？这可能是由于中国已经认识到，只要没能力自主制造被称为IT时代的“工业粮食”的半导体，产业升级就很困难。有一个有象征意义的数字，观察2016年中国的贸易统计可以发现，“半导体等电子零部件”的贸易逆差达到1664亿美元，远远超过“石油及原油”的1143亿美元。

当然，中国将进口的半导体组装进智能手机等，再将其中大部分重新出口，因此实际逆差应该很小，但在半导体领域巨额的贸易逆差体现的是无法自主制造尖端零部件、只能通过组装等代工模式来盈利的落后的产业结构。为了解决这一问题，中国甚至不惜重金，只要有必要就通过收购外资企业来获得技术资源和人才资源。这就是过去3年中国举国推进半导体产业的实际情况。

对这一趋势表现出担忧的当事人之一是台湾。台湾企业在大陆建立半导体工厂之际，需要经过台湾当局的批准。而且这些台湾企业被禁止在大陆相关工厂引进最尖端的生产工艺，只允许引进落后1代的技术。从中可以感受到台湾当局希望避免作为基础产业的半导体技术轻易外流的意向。

另一个挡在“中国野心”前面的自然就是美国。前文提到的美国总统的顾问机构“总统科技顾问委员会”2017年1月曾向时任总统的奥巴马提交了一份有关“确保美国在半导体领域的领导权和主动权”的报告。撰写报告的工作小组成员包括英特尔、高通和摩根大通集团的经营者等人。